6 ноября 2007. Корпорация Intel освоила 32-нм технологию создания микросхем памяти. Совсем недавно в микроэлектронике произошла настоящая революция, инициатором которой стала корпорация Intel: при производстве транзисторов стал использоваться новый химический элемент – гафний. Многие эксперты, в том числе и Гордон Мур, автор знаменитого одноименного закона, считают, что внедрение диэлектрика на основе гафния с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлического затвора является самым значительным инновационным изменением в технологии производства транзисторов, осуществленным за последние 40 лет. Некоторые источники идут дальше, утверждая, что внедрение новых материалов, предложенное корпорацией Intel при переходе к 45-нм техпроцессу, - это, пожалуй, единственное фундаментальное изменение с момента появления «классических» планарных полупроводниковых транзисторов с поликремниевым затвором.
Как известно, еще в 1965 году Гордон Мур зафиксировал эмпирическое наблюдение, ставшее впоследствии знаменитым законом его имени. Представив в виде графика рост производительности микросхем памяти, он обнаружил любопытную закономерность: новые модели микросхем разрабатывались спустя равные промежутки времени — примерно 18-24 месяца — после появления их предшественников, а емкость микросхем при этом возрастала каждый раз примерно вдвое. Если бы такая тенденция продолжилась, заключил Мур, то мощность вычислительных устройств экспоненциально возрастала бы на протяжении относительно короткого промежутка времени, что делало полупроводниковую индустрию весьма перспективной отраслью с точки зрения не только технологических инноваций, но и экономической привлекательности. Наблюдение Гордона Мура впоследствии подтвердилось, при этом с каждым годом гиганты полупроводниковой индустрии в точности подтверждали ставший сакраментальным закон Мура.
Однако серьезным барьером на пути миниатюризации транзисторов является утечка электрического тока при работе транзистора. Чем меньше транзистор – тем больше ток утечки, и, следовательно, выше тепловыделение. «Постоянное стремление к миниатюризации CMOS-транзисторов напоминает подъем на все более крутую гору. «Вершины» впереди едва различимы, а невероятные сложности в процессе интеграции новых материалов и структур заставляют многих «восходителей» терять уверенность в себе, - писала "EE Times" в редакционной статье еще в сентябре 2003 года. - Сегодня ни у кого не вызывает сомнений тот факт, что CMOS-транзисторы должны меняться, причем очень быстро. На компьютерном рынке происходит нечто похожее на естественный отбор, открытый Дарвиным в мире живой природы: выживают лишь те компании, которые выберут для создания своих продуктов верные материалы и схемы интеграции. У других будет два пути: либо погибнуть, либо слиться с победителями».
Как известно, все полевые транзисторы содержат специальный изолирующий слой - тонкую диэлектрическую пленку под затвором, т.е. электродом, управляющим «включением» и «выключением» транзистора. Свойства диэлектрика затвора оказывают решающее влияние на работу транзистора. Последние 40 лет в качестве основного материала для диэлектрика затвора использовался диоксид кремния (SiO₂), что было обусловлено его технологичностью и возможностью систематического улучшения характеристик транзисторов по мере уменьшения их размеров. На сегодняшний день в транзисторах, производящихся корпорацией Intel, толщина слоя диэлектрика затвора из диоксида кремния составляет всего 1,2 нанометра - то есть, сопоставима с пятью атомарными слоями! Фактически, это уже близко к физическому пределу для данного материала, поскольку в результате дальнейшего уменьшения самого транзистора и, как следствие, утоньшения слоя диоксида кремния ток утечки через диэлектрик затвора значительно возрастает, что приводит к существенным потерям тока и избыточному тепловыделению. По сути дела, слой из диоксида кремния перестает быть препятствием для свободного дрейфа электронов, которые в таких условиях проявляют свойства уже не только частиц, но и волн, в силу чего пропадает возможность гарантированного управления состоянием транзистора. Казалось, что побороть законы физики не удастся, и миниатюризация транзисторов затормозится, а с ней и весь компьютерный прогресс.
Поэтому при переходе к 45-нм нормам техпроцесса для создания затворов транзисторов с малыми токами утечек инженерам Intel пришлось использовать новый материал для диэлектрика - так называемый high-k диэлектрик, в сочетании с новым материалом для электрода затвора транзистора на основе металлов.
Предельно «истончившийся» слой диоксида кремния был заменён на более толстый слой материала на базе солей редкоземельного металла гафния с высоким показателем диэлектрической проницаемости k (high-k), в результате чего ток утечки удалось сократить более чем в десять раз по сравнению с традиционным диоксидом кремния, сохранив при этом возможность корректно и стабильно управлять работой транзистора.
Однако новый диэлектрик оказался плохо совестим с затвором из поликремния, что препятствовало достижению высокого быстродействия. Именно для решения этой проблемы затвор в новых транзисторах был выполнен из металла. Пленка из диэлектрика создается методом атомарного напыления, причем материал наносится последовательными слоями толщиной всего в один атом.
Таким образом, корпорация Intel стала первой компанией, перешедшей к массовому производству микропроцессоров с использованием гафния.
Во время своего доклада на десятом Форуме Intel для разработчиков, прошедшем в сентябре в Сан-Франциско, президент и главный исполнительный директор Intel Пол Отеллини продемонстрировал пластину с чипами, изготовленными по техпроцессу 45 нм на одной из двух фабрик Intel, уже переоборудованных под производство с нормами 45 нм. Одна из них - экспериментальная D1D, расположенная в Орегоне, вторая – Fab 32 в Аризоне. В 2008 году в строй вступят еще две 45-нм фабрики – Fab 28 в Израиле и Fab 11X в Нью-Мексико. Анонс новых 45-нм микропроцессоров семейства, имеющего кодовое наименование Penryn, состоится в текущем ноябре.
Первые процессоры с использованием транзисторов с металлическим затвором и диэлектриком high-k на основе гафния, изготовленные по 45-нм техпроцессу, только готовятся к появлению на рынке, а корпорация Intel уже планирует осилить новые рубежи развития технологий массового производства. Еще одним важнейшим анонсом осеннего IDF’2007 стала первая презентация микросхем памяти SRAM, изготовленных по технологическому процессу 32 нм. При этом стоит отметить, что каждый чип статической памяти емкостью 291 Мб, изготовленный по 32-нм техпроцессу, основывается на транзисторах с металлическим затвором и high-k диэлектриком уже второго поколения, содержит более 1,9 млрд транзисторов, а размер ячейки памяти составляет всего 0,182 мкм²! Предполагается, что Intel приступит к массовому производству микропроцессоров с соблюдением норм 32-нм техпроцесса в 2009 году.
Что же такое гафний? Гафний – это редкоземельный элемент, имеющий 72 номер в периодической системе элементов, обладающий серо-серебристым оттенком цвета, очень эластичный, устойчивый к коррозии, по химическим свойствам похожий на цирконий. Уже из самого названия семейства элементов, к которому принадлежит гафний, следует, что, в отличие от кремния, на Земле его содержится совсем немного. Хватит ли столь редкого элемента для массового производства миллионов чипов?
Специалисты считают, что повода для беспокойства нет. Главным образом потому, что количество гафния, используемое в одном чипе, ничтожно мало. Джим Макгрегор (Jim McGregor), аналитик организации In-Stat, говорит: «Даже если взять весь гафний, необходимый для производства микропроцессоров на одной 300-мм пластине, его будет невозможно разглядеть невооруженным глазом». Бернард Мейерсон (Bernard Meyerson), главный технолог IBM, выразил ситуацию еще более образно: по его словам, если взять один кубический сантиметр гафния и распределить его по поверхности слоем такой толщины, которая используется в чипах, то пленкой из гафния будет покрыта площадь, равная 10 футбольным полям. Причем, эта оценка взята с запасом в «худшую» сторону – во-первых, используется не чистый гафний, а его оксид, а во-вторых, толщина слоя по мере совершенствования технологии будет постоянно снижаться.
Итак, расход гафния невысок. А как обстоит дело с его добычей?
Ежегодно все страны мира, вместе взятые, добывают около 50 тонн этого вещества. Гафний не встречается в виде жил, как золото или некоторые другие металлы, а вырабатывается в качестве побочного продукта при добыче диоксида циркония (цирконий - металл, довольно широко распространенный на территории Австралии, Бразилии, Китая, России и США). Близость атомных структур гафния и циркония делает процесс разделения достаточно дорогостоящим. Около 60-70% полученного гафния идет на производство так называемых графитовых стержней, используемых для управления реакцией деления нуклидов в ядерных реакторах. Большая часть оставшегося гафния идет на изготовление сплавов, применяемых при производстве авиационных двигателей. Вопрос о недостатке гафния пока не вставал, причем его добычу при необходимости можно увеличить. Другим словами, опасаться, похоже, нечего. Учитывая, что полупроводниковая индустрия предполагает потребление небольшого объема данного материала, отраслевые эксперты не видят причин для возникновения конкуренции между потребителями гафния - по крайней мере, на ближайшую перспективу.

11.11.07  корпорация Intel представила 16 процессоров для серверов и высокопроизводительных ПК, созданных с использованием совершенно новой технологии производства транзисторов, позволяющей значительно снизить токи утечки в транзисторах, являющиеся препятствием для будущего развития вычислительной техники. Помимо того, что эти процессоры демонстрируют высокий уровень производительности вычислений и потребляют меньше электроэнергии, при их производстве больше не используется экологически небезопасный свинец, а начиная с 2008 года не будут применяться также галогеносодержащие материалы.
Названные Гордоном Муром (Gordon Moore), одним из основателей корпорации Intel, самым большим достижением отрасли за последние 40 лет, эти процессоры являются первыми устройствами, для производства которых корпорация Intel использует металлический затвор и диэлектрик с высоким коэффициентом диэлектрической пропускаемости (high-k) на основе гафния. Процессоры Intel Core 2 Extreme и Intel Xeon также являются первыми процессорами, изготавливаемыми по 45-нм технологическому процессу, позволяющему еще больше увеличить производительность и снизить энергопотребление.
Сочетание этих двух достижений с новыми возможностями процессоров позволяет корпорации Intel выпускать более производительные и энергоэффективные процессоры, безопасные по отношению к окружающей среде. Технологическое лидерство корпорации Intel обусловило возможность спроектировать решения, на 25% меньшие по размерам, чем предыдущие версии, и поэтому являющиеся более экономически привлекательными, в том числе, с точки зрения создания однокристальных систем для новых мобильных устройств и бытовой электроники.
Новые процессоры, изготовленные по 45-нм технологическому процессу (1 нанометр (нм) равен одной миллиардной части метра), обладают почти в два раза большей плотностью размещения транзисторов по сравнению с микропроцессорами предыдущих поколений, изготавливаемых по 65-нм технологическому процессу, и содержат до 820 миллионов транзисторов для четырехъядерных процессоров.
Четырехъядерный процессор Intel Core 2 Extreme QX9650, процессор для настольных компьютеров, изготовленный по 45-нм технологическому процессу с применением новых транзисторных технологий, демонстрирует производительность, превосходящую самые смелые ожидания заядлых игроков и любителей мультимедиа-развлечений. Технологические улучшения, такие как увеличенный объем кэш-памяти второго уровня и поддержка нового набора команд Intel SSE4, позволяют вывести производительность настольных компьютеров на по-настоящему высокий уровень.
«Одной из наших задач было оптимизировать игру Crysis для работы на современном оборудовании, чтобы обеспечить наилучшее качество изображения, позволяющее получить потрясающее впечатление от игры, – сказал доктор Дуглас Бинкс (Douglas Binks), менеджер отдела исследований и развития компании Crytek. — Благодаря новым процессорам Intel Core 2 Extreme, изготовленным по 45-нм технологическому процессу, мы использовали возможности многоядерных процессоров для обеспечения расчета физики, многоэлементных эффектов и звука с помощью различных ядер, что позволило компании Crysis создать поразительную игровую атмосферу».
Семейство процессоров для серверов производства корпорации Intel пополнилось 15 двухъядерными и четырехъядерными процессорами Intel Xeon, изготовленными по 45-нм технологическому процессу. 12 новых четырехъядерных микропроцессоров обладают тактовыми частотами от 2 до 3,20 ГГц с частотой системной шины до 1600 МГц и объемом кэш-памяти 12 МБ. Три новых двухъядерных микропроцессора обладают тактовой частотой до 3,40 ГГц, частотой системной шины до 1600 МГц и объемом кэш-памяти 6 МБ.
Процессоры Intel Xeon, изготовленные по 45-нм технологическому процессу, совместимы с серверными платформами на базе наборов микросхем Intel семейства 5000. Кроме того, корпорация Intel объявила о запуске трех новых платформ с поддержкой процессоров, изготовленных по 45-нм технологическому процессу:
■ платформа на базе набора микросхем Intel 5400 (ранее носила кодовое наименование Stoakley), оптимизированная для работы высокопроизводительных программ, таких как приложения для высокопроизводительных вычислений;
■ платформа на базе набора микросхем с контроллером-концентратором памяти Intel 5100 и контроллером устройств ввода/вывода Intel ICH-9R (ранее носила кодовое наименование Cranberry Lake). Это доступное решение поддерживает установку одного или двух процессоров и позволяет сократить энергопотребление благодаря использованию памяти DDR2;
■ платформа на базе набора микросхем Intel 3200 (ранее носила кодовое наименование Garlow), специально разработанная для однопроцессорных серверов начального уровня.
Четырехъядерные процессоры Intel Xeon семейства 5400, изготовленные по 45-нм технологическому процессу, установили ряд мировых рекордов в ключевых эталонных тестах, соответствующих отраслевым стандартам. Кроме того, платформа на базе набора микросхем Intel 5400 с частотой системной шины 1600 МГц смогла показать рекордные результаты в ключевых тестах для высокопроизводительных вычислений и интенсивное использование пропускной способности шины, в том числе в эталонном тесте SPECfp_rate2006, предназначенном для измерения производительности вычислений с плавающей запятой. Мировые рекорды были также установлены в эталонных тестах для высокопроизводительных вычислений, таких как Fluent, LS-Dyna, SPECOMP2001 и Abaqus.
Процессоры Intel Xeon, изготавливаемые по 45-нм технологическому процессу, укрепляют лидирующие позиции Intel по показателю производительности на ватт потребляемой мощности, демонстрируя улучшение на 38%1 по сравнению с четырехъядерными процессорами Intel Xeon серии 5300 предыдущего поколения.
Переход с 65-нм на 45-нм технологический процесс – это нечто большее, чем просто уменьшение современных схем процессоров. Процессоры будут оснащаться дополнительными возможностями, такими как новый набор команд для многопоточной обработки данных корпорации Intel (Intel Streaming SIMD Extensions 4, SSE4), представляющий собой 47 новых команд, позволяющих ускорить выполнение рабочих процессов, в том числе кодирование видеозаписей в высоком разрешении и обработку фотоизображений, а также ключевых программ для высокопроизводительных вычислений и корпоративных приложений.
В число дополнительных архитектурных возможностей, расширяющих производительность процессора, входят:
■ Улучшенная технология виртуализации Intel Virtualization Technology – время обработки информации (от получения до вывода) уменьшается на 25—75% только за счет аппаратного обеспечения без необходимости внесения изменений в программное оснащение.
■ Технология быстрого деления чисел (Fast Division of Numbers) – скорость работы нового делителя, работающего по новой технологии Radix 16, почти вдвое превосходит аналогичный показатель для процессоров предыдущих поколений в расчетах, используемых практически во всех приложениях.
■ Уникальный механизм создания случайного порядка (Super Shuffle Engine) – благодаря использованию более функционального 128-разрядного блока создания случайного порядка, производительность команд, входящих в набор класса SSE и работающих по случайным механизмам, существенно возросла. Эта возможность позволит увеличить производительность системы при создании контента, обработке изображений и видеозаписей и проведении высокопроизводительных вычислений.

Обзор новостей на форуме Intel для разработчиков: день 2
Со 2 по 3 апреля 2008 г. корпорация Intel проводила в Шанхае Форум Intel для разработчиков. Ниже приведен краткий обзор программных докладов руководителей корпорации, а также основные новости второго дня Форума IDF.
«ПО: безграничные возможности платформ Intel»
Рене Джеймс (Renee James), вице-президент корпорации Intel, генеральный менеджер ее подразделения Software and Solutions Group
Тема доклада Рене Джеймс – программное обеспечение, позволяющее раскрыть все возможности аппаратных средств. Джеймс отметила, что программы меняются, становясь более наглядными и мобильными, и назвала визуальные вычисления и мобильные приложения для компактных интернет-устройств (Mobile Internet Device, MID) двумя важными и быстро растущими областями программирования. Она с гордостью сообщила, что корпорация Intel неуклонно инвестирует средства и прочие ресурсы в поддержку постоянно растущего сообщества программистов.
■ Программа Intel Certified Solutions Program. Р. Джеймс объявила о том, что для участников программы Intel Software Partner Program доступна комплексная услуга по сертификации. Теперь они смогут разрабатывать высококачественные приложения, оптимизированные для технологий Intel и соответствующие строгим стандартам безопасности, совместимости и удобства сопровождения. Данное сервисное предложение, предоставляемое компанией SpikeSource, поможет производителям программного обеспечения сократить стоимость разработок и выпускать более надежные решения, хорошо работающие на платформах Intel. В связи с этой сертификационной инициативой Фонд Intel Capital, глобальная инвестиционная организация Intel, дополнительно инвестировал 10 миллионов долларов США в компанию SpikeSource. Фонд Intel Capital осуществил первые инвестиции в компанию SpikeSource в 2005 году и во многом способствовал успеху компании на этапе ее создания и представления заказчикам. На первом этапе Intel и SpikeSource предлагают данный сервис в рамках программы для ранних пользователей, к концу текущего года его доступность будет расширена.
■ Средства разработки программ для MID. Intel C++ Software Development Tool Suite for Linux* OS с поддержкой Mobile Internet Devices (MID) – новый комплекс средств разработки Intel, доступный для создателей системных и прикладных программ для MID. Это комплексное решение позволит повысить производительность, продуктивность и удобство использования ПО для MID в среде Linux, а также усовершенствовать процесс разработки приложений. Комплекс охватывает полный цикл создания ПО: кодирование, компиляцию, отладку и анализ производительности. Все инструментальные средства распространяются бесплатно. Можно заключить контракт на техническое сопровождение.
■ Рост популярности платформы Moblin. Р. Джеймс сообщила об успехе платформы Moblin в глобальной экосистеме разработчиков ПО. Платформа Moblin для среды Linux была представлена в прошлом году и предназначена для разработки передовых интернет-приложений для MID. Решения на базе Moblin уже доступны на рынке. Они олицетворяют преимущества открытого ПО для разработчиков мобильных приложений, предназначенных для MID с процессорной технологией Intel Centrino Atom. Например, Asianux и Canonical создали свои версии стека Moblin, а такие производители, как Aigo, BENQ, Clarion, Gigabyte и Lenovo, уже представили продукты на базе ОС, совместимых с Moblin. Кроме того, Adobe, Real Networks, а также более 40 других производителей ПО занимаются разработкой приложений на базе ОС, совместимых с Moblin.
■ Конкурс с призовым фондом $1 млн для разработчиков игр. Компании Intel и Epic Games организовали конкурс для разработчиков игр, желающих создать модификации («моды») к игре «Unreal Tournament 3», выпущенной для платформы ПК. Общая стоимость призового фонда составляет 1 млн долларов США. Победители получат лицензию на движок Unreal Engine 3, а также другие денежные премии и призы, в том числе средства для разработки программного обеспечения Intel® Software Development Products и персональные компьютеры на базе четырехъядерных процессоров Intel Core 2 Extreme. Оценка представленных работ начнется в июне, а финал конкурса с вручением главных призов намечен на осень 2009 года.
«Цифровая революция: повышение качества жизни, внедрение инноваций, расширение возможностей»
Эндрю Чен (Andrew Chien), вице-президент подразделения Corporate Technology Group и директор организации Intel Research
Эндрю Чен рассказал о цифровой революции, открывшей новый мир возможностей, инноваций и повысившей качество жизни. Он отметил, что цифровые технологии делают нашу жизнь более удобной и способствуют охране окружающей среды. В своем докладе Чен упомянул о решениях, архитектурах и новых областях применения вычислительных систем, благодаря которым цифровая революция стала реальностью.
■ Внедрение новых принципов обучения на основе учебных ПК второго поколения на платформах Intel. Во время своего доклада Чен впервые продемонстрировал персональные мобильные компьютеры ученика нового поколения на базе платформы Intel. Учебные ПК на базе технологий Intel предназначены для преподавателей, родителей, студентов и школьников. Это недорогое и надежное решение для доступа в Интернет, обучения, игр и работы. Во втором поколении учебных ПК предусмотрены различные варианты конфигураций, и производители могут настроить их в соответствии с требованиями конкретных учебных программ в разных странах. Корпорация Intel тесно сотрудничала с разработчиками ПО и аппаратных средств, контент-провайдерами и учебными заведениями, чтобы создать всестороннюю инфраструктуру для поддержки учебных ПК на базе платформ Intel. Представители этих организаций присутствовали на мероприятиях, проводимых в рамках Форума Intel для разработчиков в Шанхае.
■ Первый в мире многокаскадный гибридный полупроводниковый лазер. Как сообщалось в недавней публикации престижного журнала Nature Photonics, новое изобретение подразделения Photonics Technology Lab корпорации Intel позволило расширить рабочий диапазон излучения полупроводниковых лазеров до 1848 нанометров, причем возможно создание лазеров с еще большей длиной волны. Была продемонстрирована чувствительность нового многокаскадного гибридного полупроводникового лазера: он позволяет определять наличие метана и водяных паров. Этот пример достижений в области цифровых технологий свидетельствует о том, что лазеры на основе кремния, которые гораздо компактнее и дешевле по сравнению с имеющимися лазерами, можно будет использовать в спектроскопии, зондировании и в медицинских приложениях.
■ Технология управления питанием Platform Power Management (PPM). Чен рассказал о двух новых разрабатываемых технологиях, которые смогут повысить энергоэффективность систем на базе платформ Intel. Ожидается, что источники питания с адаптивной нагрузкой, разрабатываемые совместно с компанией Delta, позволят сократить энергопотребление вычислительных устройств в условиях малой нагрузки более чем на 70%. Еще одна технология управления питанием, названная Platform Power Management (PPM), является основой для повышения энергоэффективности всех платформ Intel. Более того, она откроет дорогу для новых усовершенствований в таких областях, как теравычисления и визуальные вычисления, а также позволит повысить производительность приложений, отнимающих много ресурсов процессора. Все это сможет коренным образом изменить практику нашего взаимодействия с компьютерами. Предполагается, что эти технологии позволят почти в 10 раз сократить энергопотребление мобильных, настольных систем и серверов в режимах ожидания и в рабочих режимах. При этом число вычислительных ядер будет увеличиваться, и откроются совершенно новые функциональные возможности.
■ Компьютерная фотография. Чен пригласил на сцену доктора Рена Нг (Ren Ng), президента и генерального директора компании Refocus Imaging, которая специализируется в области компьютерной фотографии. Он продемонстрировал технологию следующего поколения Light Field Camera, которая стала очередным подтверждением тезиса о цифровой революции. Технология Light Field Camera позволяет фиксировать все световое поле камеры, открывает новые возможности для фотографов и позволяет им изменять глубину резкости уже после того, как сделан снимок. Это еще один пример безграничных возможностей и производительности, которые открывает нам закон Мура. Штаб-квартира компании Refocus Imaging находится в г. Маунтин Вью, шт. Калифорния.
■ Переход к многоядерности – язык параллельного программирования Ct. В выступлении Чена приняли участие Джесс Фанг (Jesse Fang), управляющий директор Intel China Research Center, и доктор Чжанг Ксиа (Zhang Xia), технический директор компании Nuesoft. Темой беседы были встраиваемые вычислительные системы, которые позволят автомобилям будущего обнаруживать неожиданные объекты и анализировать непредвиденные ситуации в режиме реального времени. Исследователи Intel ищут пути, которые помогут разработчикам подобных приложений решить стоящие перед ними проблемы. Выход видится в создании многоядерных процессоров с возможностями теравычислений. Один из важнейших исследовательских проектов – язык программирования Ct. Это гибкий инструмент, позволяющий создавать эффективные массовые параллельные высокопроизводительные программы, использующие все возможности имеющихся и будущих многоядерных процессоров Intel. Компания Nuesoft показала, что на языке Ct можно создавать программы, которые будут гораздо эффективнее, чем приложения, написанные на других языках параллельного программирования, т. к. в данном случае для распараллеливания вычислений практически не нужно вносить изменения в код. На языке Ct уже можно писать программы, которые будут работать на имеющихся процессорах, а с появлением систем на базе архитектуры Larrabee, поддерживающих спецификацию AVX, их производительность существенно возрастет без какого-либо вмешательства разработчиков.

Nehalem и Sandy Bridge: защита от космических фантомов. Ошибка в банковской операции или сбой жесткого диска всегда непредсказуемы и неизменно приносят огорчения, хотя в такие моменты мы можем, по крайней мере, определить причины возникновения неисправностей подобного рода во избежание повторения аналогичных проблем в будущем. Однако случайные ошибки – компьютерные сбои, которые можно устранить, только перезагрузив систему, – не повторяются регулярно, поэтому их очень трудно определить и тем более предупредить. Ущерб от таких фантомных сбоев может быть значительным, и их обнаружение является серьезнейшей проблемой для производителей компьютеров. Оказывается, индустрия подошла к такому рубежу миниатюризации электронных компонентов – транзисторов, что причиной фантомного сбоя могут стать... элементарные частицы из дальних уголков Вселенной! Инженеры Intel начали учитывать данный фактор уже при проектировании процессоров на базе микроархитектуры Nehalem, и еще больше внимания придают данной проблеме, разрабатывая микроархитектуру следующего поколения - Sandy Bridge. Ведь ожидается, что Sandy Bridge будет использоваться в процессорах, выполненных по проектной норме 32 нанометра...
Элементарные частицы, попадая в транзисторы сверхмалых размеров, расщепляют атомы кремния и приводят к появлению наведенных зарядов, способных изменить хранящиеся в ячейках цифровые значения с нулей на единицы (или наоборот). По мере уменьшения размера транзисторов они становятся все более чувствительными к воздействию космического излучения, что приводит к появлению случайных сбоев. Еще большая проблема заключается в том, что, согласно закону Мура, количество транзисторов на кристалле удваивается каждые 2 года, поэтому вероятность случайных ошибок становится все выше.
Неповторяющиеся ошибки очень трудно отслеживать, и ущерб от них может быть колоссальным, достигая сотен миллионов долларов, например, в случае приостановки производственного процесса на современном заводе. Когда мы сталкиваемся со случайной ошибкой, мы не знаем причин ее возникновения. Мы используем сигнатуры на тысячах систем, и если одна и та же ошибка не повторяется, приходим к выводу, что она вызвана радиацией.
В самом начале своей исследовательской деятельности корпорация Intel разрабатывала методы измерения и моделирования воздействия космического излучения на электронные системы. Для натурных экспериментов использовался генератор протонов – огромная труба длиной в несколько километров. Микросхемы в процессе испытаний подвергались воздействию частиц, формирующихся в генераторе, с целью моделирования возникновения случайных ошибок. Подобные испытания позволяют на уровне архитектуры выявлять наиболее уязвимые группы транзисторов, известные как факторы уязвимости архитектуры (Architecture Vulnerability Factors, AVF). Анализ AVF помогает определить, какие области кристалла нуждаются в максимальной защите. Эти знания применяются на стадии проектирования для защиты самых передовых процессоров, таких как продукты на базе микроархитектур Nehalem и Sandy Bridge.
В прошлом отказоустойчивость была важной характеристикой больших сверхмощных профессиональных систем, которые должны были работать бесперебойно. Но сейчас отказоустойчивость является обязательным требованием и для массовых систем, которые используются повсюду – от промышленных предприятий и Web-серверов до вычислительных центров. В Intel также ищут экономически эффективные решения для уменьшения уязвимости электронных систем.

14 апреля 2008 г. — Корпорация IBM и ее партнеры по совместным разработкам – компании Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. (Chartered), Freescale Inc., Infineon Technologies AG, Samsung Electronics Co., Ltd. (Samsung), STMicroelectronics N.V. и Toshiba Corporation – сегодня сообщили о результатах совместных испытаний революционной полупроводниковой технологии, известной как HKMG (High-K/Metal Gate, «изолирующий слой с высокой диэлектрической проницаемостью/металлический затвор»). Эта технология предусматривает применение нового материала с великолепными диэлектрическими свойствами для важнейшего компонента полупроводникового чипа – изолирующего слоя в затворе полевого транзистора. Первые образцы чипов, демонстрирующие значительные преимущества в плане быстродействия и потребляемой мощности по сравнению с современными стандартами, были выпущены на новом полупроводниковом предприятии IBM в городе Ист Фишкилл, штат Нью-Йорк, на 300-мм кремниевых подложках. Благодаря этому совместному достижению партнеров по альянсу, новейшая технология чипов готова к разработке промышленных образцов и, в перспективе, к подготовке массового производства. Производители теперь могут приступить к проектированию чипов на основе этой инновационной полупроводниковой технологии, обеспечивая быстрый вывод своих продуктов на рынок и давая возможность потребителям воспользоваться преимуществами повышенной производительности новых электронных устройств при низком потреблении электроэнергии.
Высокие показатели производительности и энергосбережения были достигнуты на испытаниях опытных микросхем на кремниевой подложке с использованием технологии HKMG, изготовленных на оснащенной самым современным оборудованием полупроводниковой фабрике IBM в Ист Фишкилле. В результате тестовых испытаний участниками альянса было установлено, что новые чипы, созданные по 32-нанометровой производственной технологии, работают почти на 35% быстрее по сравнению с современными полупроводниковыми микросхемами на базе 45-нанометровой технологии, функционирующими на таком же напряжении. При этом, в зависимости от величины рабочего напряжения, энергопотребление 32-нм чипа может быть на 30-50% меньше по сравнению с 45-нм микросхемами. Более того, при проведении сравнительных испытаний производительности было установлено, что опытный чип на основе материала HKMG работает до 40% быстрее стандартного микропроцессора, изготовленного на основе традиционного материала Poly/SiON при аналогичных технологических параметрах.*
«Эти первые достижения в области применения материала "high-k/metal" убедительно свидетельствуют, что, работая совместно, мы можем создавать инновационные технологии, не имеющие себе равных в отрасли, — говорит Гэри Паттон (Gary Patton), вице-президент Центра исследований и разработок полупроводниковой техники (IBM Semiconductor Research and Development Center). — Демонстрация результатов такого уровня в ракурсе практического применения означает, что наши общие клиенты, перейдя на технологию следующего поколения с использованием материала HKMG, значительно укрепят свое конкурентное преимущество».
IBM, Chartered и Samsung, как основные участники альянса Common Platform, стали первыми производителями в OEM-отрасли, реализовавшими технологию HKMG в рамках 32-нанометрового техпроцесса. Созданное энергосберегающее 32-нм технологическое решение с полной совместимостью по основным технологическим нормам обеспечивает дальнейшее совершенствование технологии до уровня 28 нм. Поддержка кремниевых подложек для 32-нм HKMG-технологии будет обеспечиваться в рамках программы поэтапной разработки промышленного прототипа, которую планируется запустить в третьем квартале 2008 года. Результаты, свидетельствующие о практической осуществимости массового производства на базе опытных HKMG-устройств, созданных в центре нанотехнологий Albany NanoTech Complex при колледже College of Nanoscale Science and Engineering (город Олбани, штат Нью-Йорк), позволяют в перспективе адаптировать техпроцесс до 22-нм норм. Таким образом, потребители смогут пользоваться преимуществами материала "high-k/metal gate" и в следующих поколениях полупроводниковых устройств.
«Рынок полупроводниковых чипов продолжает оставаться одним из наиболее конкурентных в мире. Быстрый вывод новых продуктов на рынок в сочетании с увеличением числа модификаций отдельных продуктов является важнейшим условием успеха, — утверждает Дирк Ристер (Dirk Wrister), директор компании Freescale по технологическим процессам. — Результаты этой работы по созданию и тестированию опытных образцов чипа подтверждают то, что технология HKMG способна обеспечить высокий уровень дифференциации рынка как по ассортименту продуктов, так и по их производительности. Полученные результаты можно считать убедительной демонстрацией практической возможности и целесообразности применения технологии "high-k/metal gate" в рамках 32-нм техпроцесса».
29 января 2007 года корпорация IBM и ее партнеры по исследованиям (включая Sony и Toshiba) представили инновационную технологию "high-k/metal-gate" как основу для долгожданного улучшения характеристик транзистора – крошечного коммутатора, который служит основным «строительным блоком» всех современных микросхем. Применение нового материала с высокой диэлектрической проницаемостью при изготовлении затвора транзистора (выполняющего эту функцию «включения-выключения») во многом обусловило развитие 32-нанометрового полупроводникового техпроцесса, позволяющего создавать более миниатюрные, быстродействующие и энергосберегающие чипы.
[1] * Все документально подтвержденные данные получены в процессе тестовых испытаний, проведенных участниками альянса на предприятии IBM по производству полупроводниковых чипов, расположенном в городе Ист Фишкилл, штат Нью-Йорк, а также в собственных исследовательских лабораториях и производственных площадках участников альянса.

17 июня 2008 г. — На симпозиуме «VLSI 2008», который проходит с 17 по 20 июня в Гонолулу, корпорация Intel представит пять технических докладов. Ниже приводится их краткий обзор.
Доклады, запланированные на 18 июня:
Доклад 9.4: «A Scaled Floating Body Cell Memory with High-k + Metal Gate on Thin-Silicon and Thin-BOX for 15nm Node and Beyond» («Масштабированные плавающие ячейки памяти с транзисторами High-k и металлическим затвором на тонкой кремниевой подложке в корпусе Thin-BOX для изготовления 15-нанометровых и более миниатюрных узлов»)
В этом докладе сообщается об успехах Intel в изготовлении самых миниатюрных, на сегодняшний день, плоских плавающих ячеек (floating body cell, FBC) памяти с функциональными транзисторами, затвор которых имеет размер менее 30 нм. Ожидается, что благодаря FBC-элементам удастся повысить плотность ячеек памяти по сравнению со стандартной шеститранзисторной (6T) кэш-памятью, которая в настоящее время используется во всех микропроцессорах. FBC-ячейки позволят проектировщикам разместить больше битов на фиксированной площади кристалла и, тем самым, добиться ускорения вычислений. FBC-компоненты Intel по размерам на два поколения опережают все известные FBC-аналоги. Элементы с 60-нанометровыми затворами демонстрируют уже приемлемые характеристики для хранения данных в памяти, а при достигнутых размерах площадь битовой ячейки может стать меньше 0,01 кв. мкм, что позволит использовать ее в 15-нанометровых узлах. Кроме того, учитывая отличную корреляцию между реальным элементом и его моделью, можно надеяться на возможность дальнейшего масштабирования вплоть до 10-нанометровых технологических узлов.
Доклад 13.2: «45nm High-k + Metal Gate Strain-Enhanced Transistors» («45-нанометровые транзисторы с диэлектриком High-k и металлическим затвором на базе технологии напряженного кремния»)
В настоящей публикации рассказывается, как, благодаря революционным 45-нанометровым транзисторам Intel High-k + Metal Gate, изготовленным по технологическому маршруту «gate last» («затвор – в последнюю очередь») на базе уникальных n-МОП- и р-МОП-структур с использованием напряженного кремния, удалось достичь лучшей в отрасли производительности и снизить энергопотребление. Описано, каким способом экономичная операция 193-нанометровой сухой литографии была распространена на 45-нанометровые проектные нормы без введения дополнительных маскирующих слоев. С ноября прошлого года эта технология используется при массовом производстве многих видов микропроцессорной продукции Intel и обеспечивает их высокий выход.
Доклад 5.4: «PVT-Variations and Supply-Noise Tolerant 45nm Dense Cache Arrays with Diffusion-Notch-Free (DNF) 6T SRAM Cells and Dynamic Multi-Vcc Circuits» («Массивы 45-нанометровой кэш-памяти высокой емкости, устойчивые к PVT-вариациям и к шумам источника питания, с шеститранзисторными DNF-ячейками статической оперативной памяти (SRAM) и динамическими схемами, поддерживающими несколько значений напряжения питания»)
Доклад посвящен новым средствам адаптивного управления электронными схемами, которые позволяют снизить минимальное номинальное напряжение питания (Vccmin) SRAM-ячеек кэш-памяти за счет повышения их устойчивости к вариациям параметров процессов, напряжения и температуры (PVT-вариациям). Как показали измерения, проведенные в определенных режимах работы на тестовых микросхемах, изготовленных по 45-нанометровой производственной технологии, число однобитных ошибок сокращается в 26 раз. Эти схемы позволят корпорации Intel существенно повысить производительность, улучшить характеристики энергопотребления и добиться безотказной работы в будущем.
Доклад, запланированный на 19 июня:
Доклад 7.1: «Next Generation Intel® Micro-architecture (Nehalem) Clocking Architecture» («Микроархитектура Intel следующего поколения (Nehalem), архитектура синхронизации»)
В докладе представлены микроархитектура Intel следующего поколения (Nehalem) для процессорных ядер и архитектура синхронизации ввода/вывода. Nehalem – это семейство многоядерных процессоров Intel, изготавливаемых с использованием 45-нм производственной технологии «high-k + metal-gate». Первые экземпляры микропроцессора Nehalem имеют четыре усовершенствованных ядра, «неядро» (uncore) для связи ядер с подсистемой ввода/вывода и кэш-память третьего уровня. В микроархитектуре Nehalem используется новое высокоскоростное согласованное межкомпонентное соединение типа «точка-точка» – Intel QuickPath, обеспечивающее обмен данными между процессорами, наборами микросхем и концентраторами ввода/вывода. Кроме того, она поддерживает интегрированный контроллер, позволяющий использовать высокоскоростную многоканальную память DDR3.
Основные отличия микроархитектуры Nehalem: конфигурируемая тактовая синхронизация, ФАПЧ с быстрым захватом (fastlock) и низкой расфазировкой (low-skew), высокие эталонные тактовые частоты, аналоговая система слежения за подачей питания, адаптивная синхронизация частоты, межкомпонентное соединение Intel QuickPath с низким джиттером, интегрированный контроллер памяти с генератором тактовых импульсов и система ФАПЧ по задержке с аттенюатором джиттера.
Доклад, запланированный на 20 июня:
Доклад 17.2: «In-Situ Jitter Tolerance Measurement Technique for Serial I/O» («Методы измерения «на месте» допустимого джиттера для последовательных операций ввода/вывода»)
В данном докладе показано, как распространенные средства измерения производительности операций ввода/вывода между микросхемами, обычно доступные только в лабораторных условиях, могут быть интегрированы прямо в процессор. Благодаря этому процессоры будущего смогут проверять временные характеристики шумов (джиттер), непосредственно «на месте» – в бытовой или корпоративной среде. Такая возможность обеспечит оптимизацию временных промежутков и/или скорости передачи данных для соединения ввода/вывода, а следовательно, повышение общей производительности.
Кроме того, 17 июня представители Intel (старшие научные сотрудники, научные сотрудники и инженеры) принимают участие в трех заседаниях комиссий VLSI:
• «Ten years after – Has SOI finally arrived?» («Десять лет спустя: удалось ли, в итоге, реализовать технологию «кремний-на-изоляторе»?»)
Участник дискуссии от Intel: Марк Бор (Mark Bohr)
В дискуссии также примут участие представители компаний Infineon, IBM, SOITEC, AIST, TSMC, Toshiba, Hitachi
• «Who will keep SRAM scaling alive by 2012: Designers or Technologists?» («Кто обеспечит непрерывное масштабирование модулей SRAM до 2012 года: проектировщики или технологи?»)
Председательствуют представители Intel и NEC
Участник дискуссии от Intel: Клэр Уэбб (Claire Webb)
В дискуссии также примут участие представители компаний IBM, Texas Instruments, TSMC, Toshiba, NEC
• «Photons vs. Electrons – Which Will Win and When? (The Ongoing Race for Short-Distance High-Speed Data Connectivity)» («Фотоны или электроны – на чьей стороне и когда будет победа? (Продолжение борьбы за средства высокоскоростной передачи данных на малые расстояния)»)
Участник дискуссии от Intel: Иан Янг (Ian Young)
В дискуссии также примут участие представители Стэнфордского университета, компаний Force10 Networks, Teranetics, Fujitsu Japan, NTT Japan.

Весенний Форум Intel для разработчиков, состоявшийся в Шанхае, принес большое количество любопытных новостей о грядущем поколении микроархитектуры Intel, которое в настоящий момент носит кодовое наименование Nehalem. Корпорация Intel, следуя тактике, получившей название «тик-так» (по аналогии с движением маятника часов – рассчитанное на 2-летний цикл представление новых производственных процессов каждый нечетный год и новых микроархитектур каждый четный), планирует выпустить на рынок продукты на базе Nehalem уже в конце текущего года.
Системная архитектура:
Быстродействие процессора во многом определяется эффективностью доступа к данным. В микроархитектуре Nehalem инженеры Intel подняли планку производительности ещё выше, увеличив реальную пропускную способность подсистемы памяти в 3 раза.
Парадоксально, но факт: данное повышение производительности сопровождается снижением, а не увеличением уровня потребляемой энергии. Это стало возможным благодаря разработке абсолютно новой системной архитектуры. Прежде всего, было решено использовать модули памяти со сниженным энергопотреблением. Кроме этого, контроллер памяти был интегрирован в микросхему центрального процессора, что позволило уменьшить время ожидания данных.
Такой инновационный подход дает возможность получить более быстрый доступ к памяти без дополнительного увеличения энергопотребления. Помимо всего прочего, для предотвращения образования узких мест при передаче данных между процессорами, установленными в разных разъемах, в Intel было разработано новое межкомпонентное соединение Intel QuickPath, последовательный канал передачи данных типа «точка-точка», который в отличие от стандартной шины FSB, увеличивает скорость передачи данных до 4-8 раз.
Опционально планируется также интегрировать на кристалле центрального процессора графический адаптер, что предоставит значительные преимущества для подавляющего количества пользователей. Создание графических решений с использованием новейшей 45-нм производственной технологии Intel обеспечивает значительное повышение производительности на ватт. Технология биннинга (binning) позволяет попарно соединять ядра центрального процессора и ядра графической системы. Интеграция процессора и графической подсистемы также приводит к уменьшению потребления энергии.
Кроме всего вышеперечисленного, вместо статического распределения энергии Intel внедряет принцип динамического управления энерговыделением для оптимального управления нагрузкой на центральный процессор и графическое ядро в соответствии с потребностями приложений.
Архитектура центрального процессора;
В продуктах с микроархитектурой Nehalem повышена эффективность выполнения команд по сравнению с процессорами на базе предыдущего поколения микроархитектуры, что позволяет выполнять вычисления без избыточной конвейерной обработки данных.
В микроархитектуре Nehalem реализован набор инструкций SSE4.2 для увеличения скорости обработки мультимедийных и Web-приложений. Все компоненты новой микроархитектуры разрабатывались с учетом эффективности энергопотребления: новая функция внедрялась только в том случае, если увеличение производительности более 1% достигается увеличением потребляемой энергии менее 1%.
Одним из наиболее наглядных примеров эффективности новой микроархитектуры является многопотоковая обработка данных: архитектура Nehalem представляет собой сложный механизм, способный исполнять несколько программных потоков одновременно. В ходе разработки процессорной микроархитектуры следующего поколения Nehalem, инженеры Intel изучили альтернативные подходы для многопотоковой обработки, включая Switch on Event MT (SoEMT). В результате была внедрена двухканальная одновременная многопотоковая обработка (SMT), которая позволяет использовать каждое ядро физического процессора как два параллельно действующих логических процессора.
Другим примером эффективности новой микроархитектуры является ускорение аппаратной технологии виртуализации, которая все более широко применяется в серверах.
Управление питанием:
На сегодняшний день увеличение числа ядер процессора не приводит к увеличению эффективности работы приложений, которые не поддерживают обработку нескольких потоков. В данном случае страдает и энергоэффективность, поскольку при выполнении однопоточных приложений используется только одно ядро многоядерного процессора, а незадействованные ядра «греются» впустую.
Intel внедряет более эффективную систему управления работой ядер процессора. Микроархитектура Nehalem предусматривает инновационную систему управления питанием и тактовой частотой загруженных и простаивающих ядер, которая позволит в значительной степени сократить расход энергии незадействованными в обработке приложений ядрами, обеспечивая тем самым низкий уровень энергопотребления процессора. Кроме того, подобная система управления питанием позволяет повысить эффективность работы операционной системы и приложений.
Инновационные технологии производства микросхем:
Высокопроизводительные процессоры Intel на базе микроархитектуры Nehalem станут первыми процессорами компании, разработанными за последние 20 лет, в которых используется статическая КМОП-технология для всех каналов передачи данных и управления. Для практической реализации данного подхода в Nehalem были использованы переработанные версии ключевых алгоритмов, таких как, к примеру, декодирование длины команды.
Возможность микросхем работать при низком напряжении питания значительно повышает эффективность энергопотребления, так как потребление энергии снижается в бóльшей степени, чем производительность, что ведет к значительному увеличению показателя производительности на ватт. В архитектуре Nehalem используются инновации в области массивов памяти, слоев питания и принципов коррекции ошибок, что позволяет в значительной степени понизить рабочее напряжение питания.
Процессоры на основе микроархитектуры Nehalem также имеют гораздо более высокую плотность размещения транзисторов на кристалле по сравнению с процессорами нынешнего поколения. Это достигается за счет инновационных методик в области массивов памяти и средств компоновки.
Производственная технология:
Преимущества в отношении производительности на ватт передовой 45-нм производственной технологии Intel с использованием диэлектрика high-k на основе гафния и металлического затвора всем известны. Но помимо высоких показателей производительности и энергоэффективности, архитектура Nehalem также отличается высокой степенью интеграции.
Когда было принято решение о переносе контроллера памяти на кристалл процессора, инженеры Intel столкнулись с непростой задачей. Центральный процессор использует быстрые транзисторы с тонким слоем нового диэлектрика, тогда как в контроллере памяти применяются транзисторы с толстым слоем диоксида кремния. Поэтому была разработана уникальная технология создания интегральных схем, в которой используются современные фиксирующие и смещающие схемы для создания микросхем памяти. Процессор на базе микроархитектуры Nehalem является первым продуктом Intel, в который встроен контроллер памяти с применением производственного процесса, предусматривающего тонкий слой диоксида кремния.
Интеграция дополнительных скоростных компонентов на центральный процессор неизбежно приводит к увеличению энергопотребления. Для компенсации подобных потерь специалисты Intel разработали структуру транзистора с минимальными токами утечек для всех компонентов архитектуры Nehalem, которые не используются для вычислений (uncore).
По отдельности все эти инновации позволяют в определенной степени улучшить энергоэффективность продукции. Однако архитектура Nehalem является совместно оптимизированной и обеспечивает исключительные показатели энергоэффективности.

ВВЕДЕНИЕ В 32-НМ ПРОИЗВОДСТВЕННУЮ ТЕХНОЛОГИЮ
Корпорация Intel представляет 32-нм производственную технологию с использованием диэлектриков high-k в транзистора с металлическими затворами второго поколения. Технология производства основана на успешно освоенном 45-нм процессе, внедрение которого позволило перейти к реализации микроархитектуры Nehalem в процессорах Intel® Core™ i7.
Основываясь на ошеломляющем успехе 45-нм производственного процесса с диэлектриками high-k и транзисторами с металлическими затворами, корпорация Intel готовится к запуску 32-нм производственной технологии, в которой будут использоваться диэлектрики high-k и транзисторы с металлическими затворами второго поколения. Эта передовая технология станет основой новой микроархитектуры Westmere, 32-нм версии микроархитектуры Intel® под кодовым наименованием Nehalem. Планируется выпуск продукции с микроархитектурой Westmere для следующих сегментов: мобильные, настольные системы и серверы. Intel стала первой компанией, которая продемонстрировала полностью функционирующие 32-нм процессоры. В соответствии с планом корпорации по созданию инновационной продукции, эта модель получила название «тик-так» – каждые 2 года попеременно внедряются новые поколения передовых производственных технологий и разрабатывается новая микроархитектура процессоров.
■ Чтобы понять значимость 32-нм технологии, вспомним особенности 45-нм процесса и транзисторов с диэлектриками high-k и металлическими затворами.
Чтобы лучше оценить значение 32-нм производственной технологии, будет полезно оглянуться в прошлое и вспомнить 2007 год, когда впервые был представлен 45-нм производственный процесс. Производственный процесс, которому было присвоено внутреннее название P1266, позволил Intel освоить выпуск процессоров на базе успешной высокопроизводительной микроархитектуры Nehalem.
В процессе P1266 впервые применялись транзисторы с диэлектриками high-k и металлическими затворами, которые представляли собой настоящий технический прорыв. Эти транзисторы обладают более высокой производительностью и имеют малый ток утечки. После освоения процесса P1266 корпорация Intel дала обещание оперативно наладить серийный выпуск 45-нм процессоров. Оно выполнено, и сегодня Intel – единственная компания, производящая 45-нм микросхемы с транзисторами с диэлектриками high-k и металлическими затворами.
Переход 45-нм процесса на стадию промышленной эксплуатации был самым быстрым в истории Intel. Производство 45-нм процессоров было организовано в два раза быстрее по сравнению с производством 65-нм технологии в первый год ее появления. Сегодня производится самая разнообразная 45-нм продукция, предназначенная для различных сегментов. По 45-нм производственной технологии выпускаются одноядерные процессоры Intel Atom, двухъядерные Intel Core2 Duo, четырехъядерные Intel Core i7 и шестиядерные процессоры Intel Xeon серии 7500.
■ Очередное достижение Intel – внедрение 32-нм производственной технологии с диэлектриками high-k и металлическими затворами второго поколения.
Основа 32-нм технологии – транзисторы с диэлектриками high-k и металлическими затворами второго поколения. В них реализовано множество усовершенствований по сравнению с первым поколением транзисторов с диэлектриками high-k и металлическими затворами. Эквивалентная толщина оксидного слоя диэлектриков high-k уменьшилась с 1,0 нм (45-нм процесс) до 0,9 нм (32-нм процесс). При этом длина затвора сократилась до 30 нм. Шаг затвора транзистора продолжает уменьшаться в 0,7 раза каждые два года. 32-нм технология позволяет создавать транзисторы с самым маленьким шагом затвора в отрасли.
В 32-нм процессе используются те же самые основные технологические операции по осаждению металла на затворе, что и в 45-нм технологии, поэтому можно применять наработки, хорошо себя зарекомендовавшие в существующем крайне успешном производстве. Эти усовершенствования являются важнейшим условием для уменьшения размеров интегральных схем и повышения быстродействия транзисторов. 32-нм производственная технология с транзисторами с диэлектриками high-k и металлическими затворами второго поколения позволяет разработчикам одновременно оптимизировать размеры и производительность кристаллов.
Благодаря уменьшению толщины оксидного слоя и длины затвора скорость срабатывания транзисторов выросла более чем на 22%. Эти транзисторы рассчитаны на самый большой управляющий ток и имеют самый миниатюрный затвор в отрасли. Величину тока утечки также можно оптимизировать. У новых транзисторов утечка снижена более чем в 5 раз по сравнению с 45-нм NMOS-транзисторами и более чем в 10 раз по сравнению с PMOS-транзисторами. Это позволяет проектировать более компактные микросхемы, обладающие улучшенным соотношением «цена/производительность». В 32-нм процессе также используется технология напряженного кремния четвертого поколения, позволяющая повысить быстродействие транзисторов – у корпорации Intel было время и возможности для внедрения существенных усовершенствований.
■ На примере 32-нм микросхемы статической памяти была продемонстрирована жизнеспособность процесса и в очередной раз подтверждена актуальность закона Мура.
Опытный образец 32-нм микросхемы памяти SRAM был впервые продемонстрирован в сентябре 2007 года и стал не только доказательством жизнеспособности этого производственного процесса, но и очередным подтверждением справедливости закона Мура. Перейдя на 32-нм технологию, корпорация Intel получила возможность уменьшить размер ячейки с 0,356 мкм2 (45-нм процесс) до 0,171 мкм2 (32-нм процесс).
Если вспомнить предыдущие реализации производственных технологий, станет понятно, что Intel продолжает свой курс по уменьшению размеров транзисторов на 50% каждые два года. При этом удваивается плотность транзисторов на кристалле. Исключительная сложность и крошечные размеры опытного образца микросхемы также свидетельствуют об устойчивости производственной технологии. Экспериментальная микросхема достаточно сложна (более 1,9 млрд транзисторов), имеет большую емкость (291 Мбит) и высокое быстродействие (работает на частоте 4 ГГц). Она является отличным «испытательным стендом» для отладки технологии – увеличения выхода годных изделий, повышения производительности и надежности – в процессе подготовки к выпуску 32-нм процессоров.
■ График роста процента выхода годных изделий, выпускаемых по 32-нм технологии, в точности повторяет картину, наблюдавшуюся при подготовке 45-нм процесса к промышленной эксплуатации.
Корпорация Intel очень гордится организацией подготовки 45-нм процесса P1266 к серийному производству и достигнутым высоким процентом выхода годной продукции. При освоении 45-нм технологии Intel удалось быстро добиться снижения числа дефектов. Этот результат был достигнут несмотря на то, что внедрялись сложнейшие производственные процессы и новая технология. Теперь 45-нм процесс P1266 считается самым надежным.
Динамика роста процента выхода годных изделий, выпускаемых по 32-нм технологии, точно соответствует показателям, достигнутым при чрезвычайно успешном внедрении 45-нм процесса, или даже превышает их. Темпы снижения плотности дефектов в настоящее время повторяют картину, наблюдавшуюся два года назад при освоении 45-нм технологии, и Intel очень надеется, что к 4-му кварталу 2009 г., когда начнется выпуск процессоров, уменьшится частота появления дефектов и повысится выход готовой продукции.
Intel в течение следующих двух лет подготовит четыре завода к переходу на выпуск процессоров по 32-нм технологии. Фабрика D1D (Орегон) уже функционирует, фабрика D1C (Орегон) к 4-му кварталу 2009 г. будет удовлетворять требованиям к производству 32-нм продукции. В 2010 году Intel модернизирует еще два предприятия: Fab 32 (Аризона) и Fab 11X (Нью-Мехико).
■ 32-нм производственная технология с транзисторами с диэлектриками high-k и металлическими затворами второго поколения позволит выпускать процессоры и другие вычислительные компоненты мирового класса.
Westmere – первое семейство процессоров, которые будут выпускаться по 32-нм технологии. Эти CPU (32-нм версия микроархитектуры Nehalem) будут доступны для разных сегментов. Эта стратегия ступенчатого развития известна как модель Intel «тик-так». Новаторская микроархитектура «обкатывается» на текущем производственном процессе, затем переносится на новую производственную технологию. 45-нм продукты на базе Nehalem («так») представляли во многом новую процессорную архитектуру и исполнение, и их выпуск был начат по 45-нм производственной технологии, уже находившейся в промышленной эксплуатации. Процессоры на базе Westmere («тик» — начало производства запланировано на 4-й квартал 2009 г.) – следующий этап. Эти более компактные, быстродействующие и экономичные 32-нм процессоры реализованы на базе существующей микроархитектуры.
С началом выпуска процессоров на базе Westmere микроархитектура Intel® под кодовым наименованием Nehalem станет доступной для систем массовой категории. Процессоры на базе Westmere будут иметь более высокую производительность (по сравнению с семейством 45-нм процессоров на базе микроархитектуры Intel® Core™) и ядро меньшего размера. Они станут основой многокристальных модулей (Multi-Chip Package, MCP) с графическим, интегрированном в CPU.
■ Успешная реализация 32-нм производственного процесса и высокая стабильность продукции позволили Intel ускорить начало выпуска микропроцессоров на базе новой технологии для настольных и мобильных систем.
Со временем, после внедрения 32-нм производственного процесса, начнется выпуск процессоров Intel на базе микроархитектуры под кодовым наименованием Westmere для сегментов мобильных, настольных систем и серверов. По планам выпуска продукции следом за 45-нм четырехъядерными процессорами Intel Core i7 и Intel Core i7 Extreme, поддерживающими восемь потоков инструкций, появятся их 32-нм версии под кодовым наименованием Gulftown, предназначенные для профессиональных настольных вычислительных систем. Для сегментов высокопроизводительных и массовых настольных ПК к 45-нм процессорам под кодовым наименованием Lynnfield (4 ядра и 8 вычислительных потоков) добавятся 32-нм процессоры под кодовым наименованием Clarkdale (2 ядра/4 потока), а также процессоры Clarkdale со встроенной графической системой.
Мобильные вычисления: в сегменте Mobile Extreme останутся 45-нм процессоры под кодовым наименованием Clarksfield (4 ядра/8 потоков), а в сегментах высокопроизводительных и массовых систем произойдет переход на 32-нм процессоры под кодовым наименованием Arrandale (2 ядра/4 потока), начало выпуска которых намечено на 4-й квартал 2009 г.
Мы планируем переход на 32-нм производственную технологию во всех основных сегментах серверных процессоров Intel Xeon. В сегменте серверов начального уровня будут использоваться процессоры Clarkdale сразу после начала их выпуска для настольных систем. Сегмент «эффективной производительности» (процессоры Intel Xeon серии 5000) в будущем будет переведен с 45-нм процессоров Nehalem-EP на 32-нм процессоры на базе Westmere. Сегмент «расширяемых систем» (процессоры Intel Xeon серии 7000) в будущем также будет переведен с 45-нм процессоров Nehalem-EX на 32-нм процессоры на базе Westmere.
■ Значительные изменения в сегменте клиентских платформ массовой категории: увеличение производительности и снижение энергопотребления за счет повышения степени интеграции.
32-нм процессоры для клиентских систем будут отличаться не только более высокой производительностью и меньшими размерами кристалла. Массовые клиентские платформы претерпят значительные изменения с появлением новых процессоров Clarkdale и Arrandale.
ПК массовой категории строятся на базе решения из трех микросхем: процессора и «Северного моста», включающего интегрированную графику, контроллер памяти, устройство индикации и устройство управления (Manageability Engine) на базе технологии Intel vPro. Третья микросхема – «Южный мост» (ICH), который главным образом отвечает за управление функциями ввода/вывода.
В клиентских системах на базе Westmere интегрированная графическая подсистема и контроллер памяти будут размещаться в корпусе процессора в многокристальном модуле. Графический адаптер и контроллер памяти будут реализованы на 45-нм кристалле, смонтированном в общем корпусе с 32-нм кристаллом процессора. В будущем появится вторая микросхема, которая будет включать устройство управления на базе Intel® vPro, контроллер ввода/вывода и устройство индикации. Эта новая микросхема для будущих 45-нм и 32-нм процессоров будет называться «набор микросхем Intel серии 5».
■ Благодаря реализации новых инструкций 32-нм микроархитектура Westmere не будет просто «уменьшенной копией» Nehalem.
Цель этапов «тик» в производственной модели «тик-так» – перенос существующей процессорной микроархитектуры на процессоры, компоненты которых имеют меньший размер. Обычно при переходе на новую производственную технологию процессор подвергается небольшой модернизации (если это целесообразно). Процессоры на базе Westmere являются исключением из этого правила: в них добавлены новые инструкции микрокода, а также новые аппаратные функции для улучшения управления питанием.
В процессорах Westmere будут реализованы новые инструкции для ускорения выполнения алгоритмов шифрования и расшифровки. Эти шесть новых инструкций соответствуют криптографическому стандарту Advanced Encryption Standard (AES), и они найдут широкое применение в корпоративных вычислительных средах. Например, можно будет разрабатывать ПО, использующее аппаратную реализацию алгоритма AES для шифрования всего содержимого жесткого диска.
■ Начинается эра 32-нм производственного процесса с транзисторами с диэлектриками high-k и металлическими затворами второго поколения.
Intel готовится к переводу вычислительной отрасли на 32-нм производственную технологию. Первым шагом в этом направлении станет выпуск процессоров на базе Westmere, 32-нм версии успешной микроархитектуры Nehalem. Начало выпуска этих процессоров запланировано на 4-й квартал 2009 г. 32-нм производственный процесс в сочетании с более быстродействующими и энергоэффективными транзисторами с диэлектриками high-k и металлическими затворами второго поколения позволит создавать процессоры с более высокой производительностью и более низким энергопотреблением, подтверждающие справедливость закона Мура.
Первые продукты на базе Westmere будут предназначены для сегмента клиентских систем и будут включать двухъядерные процессоры с четырьмя вычислительными потоками: Clarkdale (для настольных ПК) и Arrandale (для мобильных ПК). Затем начнется выпуск серверной продукции, расширяющей возможности процессоров Nehalem-EX и Nehalem-EP. Эти новые продукты будут обладать повышенной производительностью при тех же самых показателях тепловыделения, в них будут реализованы усовершенствованные функции управления питанием, а также новые инструкции для ускорения выполнения алгоритмов шифрования и расшифровки.
Intel занимается подготовкой 32-нм производственной технологии к промышленной эксплуатации, начало которой запланировано на 4-й квартал 2009 г.

Статус служб PR должен соответствовать их значению. Сегодня поставщики телевизионного, звукотехнического, осветительного и пр. оборудования создают подобия служб PR, состоящих хотя бы из одного сотрудника. Всегда под рукой нужен человек, способный провалить любое дело, — ему-то обычно и поручают всё то, что называется «PR по-русски»: подготовка выставочных проспектов, прайс-листов, каталогов продукции, информационный поиск по тематическим изданиям, написание статей в отраслевые журналы, размещение рекламы в СМИ, создание презентационных CD и открытие сайтов в Internet. То есть, PR-овец (это, обычно, кто угодно: от старшего инженера до любовницы хозяина фирмы) являет собой фактически информационное агентство. Как правило, он осуществляет функции PR отвратительно: рекламные акции неудачны, информационные материалы не содержат нужной информации, либо таковая неудобочитаема, информационный поиск ведётся поверхностно, написанные статьи убоги и т. д. Конечно, можно пойти учиться, но чему? Курсы и литература по «Паблик Рилейшнс» проповедуют, в основном, зарубежный опыт, к нашим реалиям мало подходящий. А основная российская реалия в том, что без повышения статуса службы PR в структуре фирмы деятельность этой службы будет малоэффективна.
Без профессиональной службы PR невозможно качественно провести пресс-конференцию: пресса так устроена, что понимает только когда с ней говорят на одном языке. Если же пресс-конференцию ведёт кто-то из руководителей или специалистов фирмы, то разговор, чаще всего, идёт о чем угодно, только не о деле; если же о деле, то однобоко: многословно о технике и ничего о перспективных проектах компании, об общественном значении этих проектов. PR-службы придуманы для того, чтобы приглашенная пресса могла общаться хоть с кем-то из фирмы на одном уровне понимания проблемы. Функции PR по плечу почти любому выпускнику факультета журналистики, владеющему приёмами редактирования. Но профессиональный журналист, как правило, некомфортно чувствует себя не в рамках СМИ и не задерживается в небольших структурах, где для него нет карьерного роста.
Не имея профессионального журналистского образования, PR-овец часто приносит компании больше вреда, чем пользы: когда пресс-конференция организована дилетантски, отклики прессы на неё напоминают встречные судебные иски. Даже толково составить пресс-релиз — большая проблема: PR-овец не специалист в оборудовании, и не должен им быть. С одной стороны, он должен быть профессиональным текстовиком, а с другой стороны, иметь право требовать от сотрудников фирмы необходимые данные. Но он, хотя и ходит на службу в белом фраке, не может ни от кого потребовать (внутри фирмы чудаков не меньше, чем снаружи), имея низкий статус. В крупной фирме, где сотрудники одного отдела не имеют права знать, что делается в другом, ко всей информации доступ имеют только первые лица — в их числе должен быть PR-овец. То есть, PR-овец должен стать ключевой фигурой на фирме: членом совета директоров, совладельцем и т. п. PR — это одновременно Минпечати, Госкино и Гостелерадио на уровне фирмы.
Ничтожный статус служб PR подвёл и генерала Лебедя: он в период отставки экс-министра обороны Грачева много говорил о влиянии на события Е. Агаповой (вплоть до подготовки силовых акций ею) — помощника Грачева по связям с общественностью и прессой. Но хотя это соответствует генерал-полковничьей должности, ни один ротный не подчинился бы приказу PR-овки Агаповой.
Интенсивность информационного обмена компаний с внешним миром привела к тому, что, стараясь захватить инициативу на информационном пространстве, и тем самым — на рынке оборудования, компании-поставщики оборудования стали выпускать собственные печатные издания (газеты, вестники, бюллетени и пр.) — это вид издательской деятельности, предусмотренный в Уставе почти каждой фирмы. Логично ожидать следующий шаг — учреждение собственных информационных агентств, согласно закону РФ «О средствах массовой информации», ст. 23 «Информационные агентства»:
«При применении настоящего Закона в отношении информационных агентств на них одновременно распространяются статус редакции, издателя, распространителя и правовой режим средства массовой информации.
Бюллетень, вестник, иное издание или программа с постоянным названием, учреждаемые информационным агентством, регистрируются в порядке, установленном настоящим Законом.
При распространении сообщений и материалов информационного агентства другим средством массовой информации ссылка на информационное агентство обязательна.»
Опыт контактов со службами PR различных компаний говорит: безукоризненно пресс-релизы составляются, за редким исключением, только там, где пресс-секретари — профессиональные журналисты. Определённая метаморфоза произойдёт вследствие регистрации службы PR в качестве информационного агентства: это сделает «самодельных» PR-овцев, по крайней мере де-юре, профессионалами, заставив, как минимум, изучить законы о СМИ — чтобы не лишиться нового статуса. Кем в таком случае становится бесправный «директор по связям с общественностью» и «руководитель PR-службы»? Главным редактором информационного агентства компании такой-то (либо группы компаний, составляющих некий технологический комплекс). Это придаст PR-овцу необходимый вес внутри фирмы. Это уже не только корпоративный, но и федеральный статус, что одномоментно повышает статус самой компании-учредителя (как говорится, по шутам судят о королях) и предоставляет PR-овцу оперативный простор для добывания информации. И, коль скоро речь зашла о компании как учредителе информационного агентства, то в учредительском договоре есть смысл подчеркнуть, что ни один сотрудник компании, будь он трижды профессор, не имеет права печатать свои статьи где бы то ни было без санкции PR-службы — то бишь, теперь информационного агентства компании.
В Германии наблюдалось увеличение финансовой зависимости агентств PR от группы крупных клиентов. Так, франкфуртское агентство Reporter Public Relations GmbH понесло убытки, когда заказы от концерна Telekom сократились с 3,5 млн до 1 млн немецких марок. Первая десятка агентств PR. насчитывает от 180 до 30 сотрудников, подавляющее же большинство остальных агентств PR представляют из себя предприятия, состоящие из одного человека. Проведение межрегиональной пресс-конференции при посредничестве малого агентства стоит 10 тыс. марок, крупные же агентства берут за это 15 тыс. марок. В России есть крупные агентства: например, одно из московских агентств берёт $ 200 за приглашение одного журналиста с обязательством последующей публикации. Но основной российский рынок держится на вышеупомянутых «одиночках», работающих в штате компаний, — чтобы эти одиночки больше походили на малые, но эффективные немецкие агентства, их целесообразно несколько обособить внутри компаний, придав статус главных редакторов информационных агентств.
Регистрация служб PR в качестве информационных агентств поставит заслон анонимному компромату: «входящие» от фирмы материалы PR-овец обязан будет визировать и тем спасёт свою голову. «Верхние люди» часто используют своих PR-овцев для «сброса» сплетен, чтобы не самим отвечать, а пострадал бы, в случае чего, PR-овец — и, как говорят восточные тираны, «если он не виноват, он в прощении не нуждается, а если виноват, он прощения не заслуживает». Многие службы PR — тот самый информационный офшор, о котором говорилось в «ТКТ» № 7, 1998 г. в статье о правовом регулировании ТВ-наблюдения. В условиях процедурной неполноты наших законов информационные материалы надо метить так же, как метили изотопами сырьё в кинофильме «Два билета на дневной сеанс». А то ведь неопределённость довела до такой степени, что и сауны стали частью PR. Принадлежащие олигархам СМИ пишут о видеосъёмках голых членов правительства на базах отдыха, принадлежащих другим олигархам. Сотрудникам PR приходится вникать в такие тонкости скрытой видеосъёмки, как размещение объектива камеры вблизи какого-либо порнообъекта: например, позади стриптизёрши — в этом случае взгляд подлежащего компрометации чиновника будет направлен именно туда и лицо зафиксируется максимально идентично — вместе с проявлением эмоций (это и есть элемент видеоэкологии в скрытой съёмке, о чем шла речь в той же статье в № 7). А что: разве не такое пламя должно было возгореться из искры книг бывших пресс-секретарей и охранников Ельцина?
Новое явление в PR — гибрид PR с security. Как пример пресса называет структуру холдинга «Мост», куда возглавить информационно-аналитическое управление был приглашен бывший 1-й зампред КГБ Ф. Бобков (занимавшийся в 5-м управлении КГБ борьбой с антисоветской деятельностью), что вылилось, как пишет «Офис Style», в «воздействие на средства массовой информации, благо большинство завербованных агентов пятого управления так или иначе имеют отношение к СМИ». Подобные структурные ходы позволяют предположить, что где-то существует практика смыкания PR со службами видеонаблюдения корпорации. Причины разные — например, приглашая съёмочную группу, PR-овец несёт личную ответственность перед своим начальством за этих людей: что у них на уме, кем ангажированы и т. п. Сегодня весовая категория PR-овца и приглашаемых им съемочных групп часто не совпадают — не в пользу службы PR: отсюда и диффамация и, как следствие, неприятности у работников PR. Между тем, служба PR — это интерфейс между компанией и обществом, интересы которого представляет пресса, то есть PR — своего рода информационная система, которая, как и полагается информационным системам, должна иметь четкий протокол, коим и может явиться статус информационного агентства. Без такого статуса PR-овец вынужден вести «теневую политику», например, поить съёмочную группу, чтобы узнать о её взаимоотношениях с конкурентами. И PR-овцы фирм могут скатиться к тому, что станут организаторами скрытого аудиовидеоконтроля за разговорами и действиями журналистов, приглашенных на пресс-конференцию с последующим фуршетом. Действительно: а вдруг пригодятся кадры, где члены съёмочной группы рассовывают в кофры недопитые бутылки с фуршета? А. П. БАРСУКОВ, журнал "ТКТ", № 10, 1998 г. (через эту ссылку можно без регистрации бесплатно скачать справочник, авторские материалы которого разрешено использовать для написания таких работ, как эссе, сочинение, доклад, реферат, курсовая работа, дипломная работа, бакалаврская / магистерская работа, диссертация)

    Был в том монастыре обычай у монахов на время великого поста расходиться в разные стороны и пребывать в уединении до вербного воскресенья. За неделю до пасхи они вновь сходились в монастырь и ничего не рассказывали о том, как провели все это время.
С наступлением поста ушел из монастыря и Зосима. Долго бродил он по пустыне, пока не случилось с ним такое происшествие...
'После двадцати дней пути он остановился и вдруг увидел тень человеческую. Испугавшись и думая, что это бесовское наваждение, он стал креститься.
«Когда страх прошел и молитва была окончена, он обернулся к югу и увидел человека нагого, опаленного дочерна солнцем, с белыми, как шерсть, волосами, спускавшимися только до шеи».
«Ба, да, никак, это женщина!» — мелькнуло в голове старца. И он забыв про свою старость и дальний путь, побежал изо всех сил за голой незнакомкой.
Та от него. Он за ней.
Долго бежали они. Наконец Зосима выдохся и стал кричать:
— Остановись!
Незнакомка остановилась. Тут Зосима окончательно убедился, что пред ним женщина, и призадумался: что приличнее — видеть перед собой голую «девицу» или отдать ей свою одежду и предстать пред ней в чем мать родила. Решил отдать одежду.
Тут оба они бросились на землю и долго лежали. Наконец Зосима пришел в себя и попросил женщину рассказать, кто она. Та застеснялась.
— Я,—говорит, — великая грешница, .и твой слух не выдержит повести о моем беспутстве!
— Ничего,— сказал ей Зосима,— рассказывай. Есть из-за чего стесняться!
«Девица» долго не соглашалась. Но Зосима был до крайности заинтригован. Он с неудержимыми слезами просил ее поведать о своей жизни, и она так начала рассказывать о себе:
— Я, святой отец, родилась в Египте, но, будучи двенадцати лет от роду, когда были еще живы мои родители, я отвергла их любовь и отправилась в Александрию. Как я потеряла свою девическую чистоту и стала неудержимо, ненасытно предаваться любодеянию — об этом без стыда я не могу даже помыслить, не только пространно рассказывать; скажу только кратко, чтобы ты узнал о неудержимой моей похоти. Семнадцать лет и даже больше я совершала блуд со всеми — не ради подарка или платы, так как ничего ни от кого я не хотела брать, но я так рассудила, что даром больше будут приходить ко мне и удовлетворять мою похоть. Не думай, что я была богата и оттого не брала, — нет, я жила в нищете, но всегда была одержима желанием еще больше погрязнуть в тине блуда: я видела жизнь в постоянном бесчестии.
Однажды во время жатвы я увидела, что много мужей — и египтян, и ливийцев — идут к морю. Я спросила одного встречного; куда спешат эти люди? Тот ответил, что они идут в Иерусалим на предстоящий в скором времени праздник воздвижения честного и животворящего креста. На мой вопрос, возьмут ли они и меня с собой, он сказал, что если у меня есть деньги и пища, то никто не будет препятствовать. Я сказала ему: «Нет, брат, у меня ни денег, ни пищи, но все-таки я пойду и сяду с ними в один корабль, а они меня пропитают: я отдам им свое тело за плату».
Я хотела пойти для того, чтобы — прости меня, мой отец,— около меня было много людей, готовых к похоти. Говорила я тебе, отец Зосима, чтобы ты не принуждал меня рассказывать про мой позор. Бог свидетель, я боюсь, что своими словами я оскверняю самый воздух».
Зосима совсем обалдел от таких речей. Слушая ее, он разинул рот и млел от удовольствия, распустив слюни.
«Зосима воскликнул:
— Говори, мать моя, говори! Продолжай свою поучительную повесть!
— Встретившийся юноша, — продолжала она, — услышав мою бесстыдную речь, засмеялся и отошел прочь. А я поспешила к морю. Оглядев путешественников, я заметила среди них человек десять или больше, стоявших на берегу; они были молоды и, казалось, подходили к моему вожделению. Другие уже вошли в корабль. Бесстыдно, по обыкновению, я подбежала к стоявшим и сказала:
«Возьмите и меня с собой, я вам буду угождать». Они засмеялись на эти и подобные слова и, видя мое бесстыдство, взяли с собой на корабль, и мы отплыли. Как тебе, божий человек, сказать, что было дальше? Какой язык, какой слух вынесет рассказ о позорных делах, совершенных мною на корабле во бремя пути: я увлекала на грех даже против воли, и не было постыдных дел, каким бы я не научала. Поверь, отец, я ужасаюсь, как море перенесло такой разврат, как не разверзлась земля и не погрузила меня живой в ад после совращения столь многих людей!»
Наконец благочестивые паломники прибыли во святой город Иерусалим. Тут Мария — так звали новую знакомую старца Зосимы — «поступала по-прежнему и даже хуже». Она «не только не довольствовалась юношами, бывшими с ней на корабле, но собирала на блуд местных жителей и странников». А. Чертков, «Рассказы о "житиях святых"»

Webinar: Cut Time and Cost to Deliver on Your Mobile Strategy
March 27, 2012. Time: 2:00 pm BST / 15:00 CET / 9:00 am EST
Join John Chasey, Director, Mobile at Software AG for a 40 minute webinar to discover how you can take advantage of the mobile revolution quickly and cost effectively.
Developing an effective mobile strategy can be a challenge for many organizations. With the fast-changing mobile landscape and so many operating systems and devices to choose from, it can be a very expensive and time-consuming process. But imagine if you or your application delivery partner had the technology to develop your mobile experience once and deploy it on any mobile device.
Find out how at this webinar where you will learn about:
Real life case studies showing how you can develop strategies to get your mobile services to market faster
Cut development time so you can develop once and deploy on any mobile device
Improve user adoption and referrals by giving your customers the quality experience they expect on any device from an iPad to a Blackberry
Gain valuable insight into the strategic pitfalls in the mobile industry and how to avoid them
Who should attend?
Anyone responsible for mobile strategy within the organization will gain valuable insight to the mobile market and practical tips to apply to your mobile strategy.