16 декабря 2008 г. — Компании Toshiba Corporation (TOKYO:6502), IBM (NYSE: IBM) и AMD (NYSE:AMD) сегодня объявили о том, что ими совместно разработан элемент статической памяти с произвольной выборкой (Static Random Access Memory, SRAM), площадь которого составляет всего лишь 0,128 квадратных микрон. Создан самый миниатюрный функционирующий модуль SRAM на полевых транзисторах т.н. «плавникового» типа (fin-shaped Field Effect Transistor, FinFET). Площадь элемента памяти SRAM на непланарных («неплоских») полевых транзисторах (Nonplanar-FET SRAM Cell) уменьшена более чем на 50%. Компании разрабатывают новый перспективный подход к конструкции будущих технологических узлов электронных устройств.
Ячейка памяти, разработанная с применением полупроводниковой технологии HKMG (High-K/Metal Gate – «изолирующий слой с высокой диэлектрической проницаемостью/металлический затвор»), обладает рядом преимуществ перед элементами на базе планарных («плоских») полевых транзисторов – с точки зрения перспектив их применения в электронных устройствах будущих поколений. Микромодули SRAM являются схемными элементами большинства крупномасштабных интегральных схем системного уровня, таких как микропроцессоры. Более миниатюрные элементы SRAM могут способствовать появлению меньших по размеру и более быстрых процессоров, которые, к тому же, потребляют меньше электроэнергии. Новая инновационная технология была анонсирована 16 декабря 2008 года на проходящей в Сан-Франциско (штат Калифорния) международной конференции по электронным устройствам 2008 IEEE International Electron Devices Meeting – на конференции был распространен соответствующий технический бюллетень.
Производители интегральных схем при создании элементов SRAM с использованием обычных планарных транзисторов, как правило, корректируют свойства материалов путем добавления различных примесей или присадок, делая это с конечной целью уменьшения размеров транзисторов. Данная методика, однако, создает нежелательную изменчивость характеристик и ухудшает стабильность работы SRAM. Этот эффект становится особо критичным при применении 22-нанометровых (и ниже) норм технологического процесса изготовления чипов. Использование FinFET-транзисторов – вертикальных полевых транзисторов «плавникового» типа с нелегированными (не содержащими добавок) кремниевыми каналами – является альтернативным подходом, позволяющим добиться уменьшения площади элементов памяти SRAM с минимальным изменением характеристик.
Исследователи Toshiba, IBM и AMD создали сверхминиатюрный элемент FinFET SRAM с использованием новаторской полупроводниковой технологии HKMG. Этот элемент представляет собой самую маленькую, из когда-либо созданных, ячейку памяти SRAM на базе непланарных полевых транзисторов, с площадью 0,128 квадратных микрона. Новый интегрированный элемент SRAM более чем на 50% меньше своего предыдущего аналога, площадь которого составляла 0,274 квадратных микрона. Для достижения этого результата объединенная группа исследователей оптимизировала технологические процессы, особенно в части формирования, смещения и удаления слоев материалов, в том числе слоев HKMG в вертикальных плоскостях непланарной FinFET-структуры.
Исследователи также изучили эффект случайного варьирования свойств FinFET-транзисторов в сверхминиатюрных элементах SRAM. Исследователи имитировали изменение свойств транзисторов SRAM на элементах даже меньших размеров, чем у микромодуля памяти, анонсированного сегодня. Ученые установили, что стабильность характеристик FinFET-транзисторов без легирования каналов улучшается на 28%. При моделировании ячеек SRAM с площадью 0,063 квадратных микрона, что эквивалентно 22-нанометровым (и ниже) электронным цепям, полученные результаты подтвердили, что элементы памяти FinFET SRAM потенциально обладают значительным преимуществом с точки зрения стабильности работы по сравнению с существующими элементами SRAM на базе планарных FET-транзисторов.
Основываясь на успешном создании сверхминиатюрных элементов памяти FinFET SRAM с использованием технологии HKMG, компании Toshiba, IBM и AMD позиционируют технологию полевых транзисторов «плавникового» типа (FinFET) как весьма перспективную транзисторную структуру для модулей памяти SRAM, изготавливаемых с применением 22-нанометровых (и ниже) технологических норм. Новая инновационная технология FinFET является важным шагом к созданию более мощных и малогабаритных электронных устройств.

Модули памяти Kingston HyperX установили два новых мировых рекорда по скорости разгона. Модули Kingston HyperX были разогнаны до частоты 3095 МГц(CL6) и 3175 МГц (CL8).
Фаунтин Вэлли, шт. Калифорния, 8 ноября 2011 г. – Компания Kingston Technology, независимый производитель устройств хранения данных, сегодня объявила о том, что Ocaholic.ch, швейцарское сообщество любителей разгона, установило два новых мировых рекорда с помощью самого быстрого набора на основе двухканальных модулей памяти Kingston® HyperX®, 2544 МГЦ (номер по каталогу Kingston: KHX2544C9D3T1FK2/2GX). Два новых рекорда для модулей памяти DRAM были установлены 20 октября 2011 г. швейцарскими оверклокерами Роджером Таннером (splmann) и Марком Восером (Besi) в ходе IM.TOP — ярмарки-выставки швейцарских дистрибуторов компании Ingram Micro в г. Люцерн. Модули Kingston HyperX были разогнаны до частоты 3095 МГц (CL6) и 3175 МГц (CL8). Это самые высокие частоты, которые когда-либо были достигнуты для модулей памяти со значениями тайминга CL6 и CL8. При разгоне использовалась система охлаждения на основе жидкого азота. Модули были установлены в специальный кулер, выполненный из алюминия и меди, а внутреннее пространство было заполнено жидким азотом с температурой -196 °C.
«Во всем мире существует множество сообществ энтузиастов, которые постоянно проводят эксперименты по разгону различных компонентов вычислительных систем, пытаясь добиться предельных значений, – рассказывает Марк Бучел (Marc Büchel), главный редактор и основатель портала Ocaholic.ch, который выступил с инициативой провести очередные испытания по разгону в Швейцарии. – Наша платформа стала одним из лучших решений для разгона модулей памяти, и мы рады, что смогли побить мировой рекорд по модулям CL7, установленный нашими французскими коллегами Бенджамином Буи и Жаном-Батистом Жераром в августе этого года. Но мы не собираемся останавливаться на достигнутом и надеемся, что мировое сообщество по достоинству оценит наши достижения».

Kingston Technology объявляет о выпуске новых модулей памяти серии HyperX® Genesis. Новые модули памяти серии HyperX Genesis обеспечат максимальную производительность восьмиканальной архитектуры.
14 ноября 2011 г. – Компания Kingston Technology, независимый производитель устройств хранения данных, объявила о выпуске целого ряда модулей памяти серии HyperX® Genesis общей емкостью 8 Гб, 16 Гб и 32 Гб, предназначенных для установки в ПК на базе новых четырехканальных процессоров Intel® Sandy Bridge-E X79 и системных плат с чипсетом X79 Express. Модули Kingston® HyperX Genesis представляют собой оптимальное решение для пользователей, которые хотят воспользоваться всеми преимуществами четырехканальной архитектуры и увеличить производительность в 4 раза по сравнению с ПК на базе одноканальных решений. Для пользователей, которым необходимы самые быстрые модули с максимальной емкостью, компания Kingston подготовила к выпуску модули памяти с частотой 2400 МГц и 2133 МГц в китах емкостью 8 Гб и 16 Гб (по четыре модуля в каждом). Другие модели модулей памяти HyperX Genesis, предназначенные для компьютеров на базе чипсета X79, поддерживают рабочую частоту 1866 МГц и 1600 МГц и доступны в виде китов по четыре и восемь модулей, совокупная емкость которых варьируется от 8 Гб до 32 Гб. Все киты HyperX компании Kingston прошли сертификацию Intel XMP и совместимы с новейшими системными платами X79 таких всемирно известных поставщиков, как Asus, GIGABYTE, MSI и ASRock. «Наши новейшие модули памяти HyperX созданы специально для того, чтобы максимально увеличить производительность ПК на базе новых процессоров Core™ i7-3960X и 3930K корпорации Intel, поддерживающих четырехканальную архитектуру памяти, – сказал Марк Текунофф (Mark Tekunoff), старший менеджер по технологиям компании Kingston. – При установке модулей HyperX Genesis в платформе X79 экстремальные геймеры, любители эталонных тестов, разработчики контента и энтузиасты в области современных технологий получат новые возможности для разгона».

Компания Kingston представляет новые модули памяти HyperX Red Limited Edition
30 января 2012 г. – Компания Kingston Technology Inc., мировой независимый производитель устройств хранения данных, объявляет о выпуске модулей оперативной памяти HyperX Red Limited Edition, которые будут доступны по отдельности (планки по 4 Гб) и в комплектах общей емкостью 8 Гб. Новинка, предназначенная для современных, высокопроизводительных систем, будет интересна как геймерам и любителям разгона, так и обычным пользователям, которые хотят увеличить скорость работы своих ПК с помощью новых более производительных решений.
HyperX Red Limited Edition, выполненные в ярко-красном цвете, поддерживают частоту 1333 МГц и 1600 МГц с напряжением 1,5В и 1,6В. В конструкцию модуля также были внесены изменения с целью достижения оптимального отвода тепла. Кроме того, комплекты емкостью 8 Гб на базе модулей памяти с частотой 1600 МГц полностью поддерживают технологию XMP, обеспечивающую дополнительные возможности разгона.
Характеристики/спецификации:
• Емкость – 4 Гб (один модуль) и 8 Гб (комплект)
• Частота (скорость работы) – 1333 МГц и 1600 МГц
• Латентность CAS - 9-9-9-27
• Напряжение – 1,5 В и 1,65 В
• Поддержка технологии XMP* – для повышения значений тактовой частоты, тайминга и напряжения необходимо просто включить режим Extreme Memory Profile.
• Теплоотвод HyperX Red Heat – более эффективный отвод тепла
• Совместимость – с наборами микросхем Intel P55, H67, P67, Z68 и H61; и с наборами микросхем AMD A75, A87, A88, A89, A78 и E35
• Гарантия — пожизненная гарантия, бесплатная техническая поддержка

INTEL И MICRON РАСШИРЯЮТ СОВМЕСТНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ ПО ПРОИЗВОДСТВУ NAND-ПАМЯТИ
САНТА-КЛАРА (Калифорния) и БОЙСЕ (Айдахо), 28 февраля 2012 г. – Intel и Micron Technology сегодня объявили о заключении соглашения по созданию новых направлений в рамках совместного предприятия по производству NAND-памяти.
Эти договоренности, направленные на повышение гибкости и эффективности предприятия, включают в себя соглашение о поставках NAND-памяти от Micron корпорации Intel и соглашение о продаже части активов совместного предприятия компании Micron. Согласно условиям данного соглашения Intel продаст свою часть акций двух фабрик по производству полупроводниковых подложек за сумму около $600 млн, примерно равную балансовой стоимости доли Intel. Корпорация Intel получит около половины этой суммы наличными, а оставшаяся часть будет депонирована на счетах Micron. В будущем эти средства могут быть возвращены корпорации, или она сможет использовать их для покупок в рамках соглашения по поставке NAND-памяти. Данные соглашения также призваны расширить совместную программу по разработке NAND-памяти и включить в нее разработку новых технологий производства решений для хранения данных.
В рамках соглашений Micron увеличит свою долю в общем объеме производства NAND-памяти и оптимизирует свою производственную сеть за счет приобретения IM Flash Singapore (IMFS) и IM Flash Technologies (IMFT) в г. Манассас (Вирджиния, США).
Micron также подписала соглашение о поставке Intel своей NAND-памяти. Совместное предприятие IMFT по производству NAND-памяти, расположенное в Лихай (Юта, США), продолжит работу с минимальными затратами для владельцев. Сейчас здесь производится NAND-память на базе ведущей в отрасли 20-нм производственной технологии. Предполагается, что сделка будет закрыта в первой половине текущего года, при условии соблюдения определенных требований.
«Сотрудничество Intel и Micron позволило разработать ведущую в отрасли технологию производства NAND-памяти и создать мировую сеть производственных предприятий. Новое соглашение с Micron о поставке NAND-памяти позволит Intel удовлетворить постоянно увеличивающийся спрос на твердотельные накопители и аналогичные продукты», – сказал Роберт Крук (Robert Crooke), вице-президент Intel и генеральный директор Intel Non-Volatile Memory Solutions Group.
«Совместные усилия Micron и Intel в области разработки NAND-памяти являются примером инновационности, продуктивности и эффективности работы, – сказал Марк Даркан (Mark Durcan), генеральный директор Micron. – Благодаря созданию компании IM Flash Technologies и реализации сопутствующих программ, наши компании стали лидерами на рынке производства NAND-памяти. И наши новые соглашения основываются на успешности этих проектов».

Компания Kingston получила высшие награды премии PC Magazine/ RE «Россия: лучшие из лучших 2011»
28 марта 2012 г. – Комплект модулей памяти Kingston KHX2400C11D3K4/8GX и SSD-накопитель Kingston SH100S3B/120GB удостоились званий «Продукт года» премии PC Magazine/RE «Россия: лучшие из лучших 2011». Решение Kingston Data Traveler HyperX 3.0 также вошло в тройку лидеров в номинации «Флэш-брелоки (USB-накопители)».
Премия «Россия: лучшие из лучших 2011» - специальный проект журнала PC Magazine/ Russian Edition, основанный на результатах анализа технической и ценовой информации, потребительских свойств продуктов, экспертных оценок и опроса читателей и представителей компаний среднего и малого бизнеса. «Лучшим» признается продукт, «существенным образом изменивший ситуацию и тенденции в соответствующем сегменте рынка вследствие своих потребительских, технологических, ценовых и/или иных свойств» .
«Модули памяти, SSD и USB-накопители Kingston установили новые стандарты качества и производительности, – говорит Алексей Князев, директор по развитию бизнеса российского представительства компании Kingston Technology. – Это подтверждают результаты премии PC Magazine/RE. Наша продукция получила заслуженные награды, которыми мы по праву гордимся. Мы благодарим российских пользователей за оказанное доверие и поддержку».
Отметим, что на отечественном рынке это не первые награды компании Kingston Technology, Inc., крупнейшего мирового независимого производителя устройств хранения данных. В 2011 году она возглавила российский рейтинг производителей модулей памяти согласно исследованию PC Magazine/RE «Сервис и качество 2010» . В том же году Kingston Technology получила две золотые награды «iXBT Brand 2010 — Выбор читателей» в номинациях «Производитель модулей памяти» (37,6% голосов) и «Флэш-накопители» (39,4% голосов) . SSD-накопители Kingston также вошли в число лидеров данного рейтинга в номинации «Внутренние 2,5″ твердотельные (SSD) накопители» и заняли третье место (13,7% голосов).